Bột SiC Beta độ tinh khiết cao 4N 5N bột silicon carbide 2μm 5μm 10μm
Bột SiC Beta độ tinh khiết cao 4N 5N, bột silicon carbide 2μm 5μm 10μm là silicon carbide pha β với độ tinh khiết từ 5N trở lên. Silicon carbide lập phương pha β có cấu trúc tinh thể lập phương 3C, và hình thái tinh thể độc đáo của nó mang lại độ cứng gần bằng kim cương, với độ cứng Mohs từ 9,5-9,75. Bột silicon carbide β độ tinh khiết cao được sản xuất bằng phương pháp đóng rắn nhiệt độ cao và phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Sản phẩm có độ tinh khiết cao, hàm lượng pha beta cao, kích thước hạt có thể kiểm soát, hoạt tính thiêu kết tuyệt vời và khả năng phân tán tốt. Đồng thời, silicon carbide lập phương sở hữu các tính chất lý hóa tuyệt vời, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tốc độ trôi điện tử cao, độ linh động điện tử cao, khả năng chống ăn mòn và khả năng chịu sốc nhiệt tốt. Nó được sử dụng rộng rãi trong ngành hàng không vũ trụ, gốm sứ cao cấp, pin năng lượng mới, xử lý bề mặt và công nghiệp bán dẫn.
Đặc tính hiệu năng của bột SiC Beta độ tinh khiết cao 4N 5N, bột silicon carbide 2μm 5μm 10μm:
- Độ tinh khiết cao, với độ tinh khiết sản phẩm đạt 5N trở lên.
- Hàm lượng pha lập phương lên đến 99%, dạng tinh thể pha β tinh khiết.
- Hình thái: Các hạt hình cầu với nhiều kích thước hạt khác nhau có thể lựa chọn.
- Hàm lượng oxy thấp, dưới 0,3%.
- Khả năng thiêu kết tốt và phân tán dễ dàng.
- Có khả năng chịu nhiệt độ cao, chống mài mòn, chống ăn mòn và chống sốc nhiệt tuyệt vời.
Chỉ số vật lý của bột SiC Beta độ tinh khiết cao 4N 5N bột silicon carbide 2μm 5μm 10μm
| cấu trúc tinh thể | hình lập phương |
| Pha tinh thể | b |
| Hàm lượng β | ≥99% |
| Điểm nóng chảy | 2700° |
| Nhiệt độ phân hủy | 2830°±40° |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| Độ dẫn nhiệt | 0,255 W/cm K |
| Độ cứng Mohs | 9,5-9,75 |
| Độ cứng Vickers (độ cứng vi mô) | 3300-3500 kg/mm2 |
| Tỷ trọng riêng | 3,216 g/cm3 |
Thông số kỹ thuật.
| Thông số kỹ thuật. | Kích cỡ | Độ tinh khiết của SiC (%) | Tỷ lệ phần trăm β | Hình dạng |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-5um | 5µm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-10um | 10um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-10um | 50um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 7N-βSiC-G | 1-10mm | 7N | ≥99% | Hạt |
Ứng dụng bột SiC Beta độ tinh khiết cao 4N 5N, bột silicon carbide kích thước 2μm 5μm 10μm
- Nghiền mịn
- Gốm cacbua silic chính xác
- Pin năng lượng mới
- Chất bán dẫn
- Lớp phủ đặc biệt
- Vật liệu chịu nhiệt cao
- Linh kiện điện tử
