Nhà sản xuất bột nano cacbua silic 4N tại Trung Quốc
Nhà sản xuất bột nano cacbua silic 4N tại Trung Quốc cung cấp bột nano cacbua silic có độ tinh khiết cao với các kích thước hạt như 500nm, 300nm, 100nm, v.v. Đây là cacbua silic pha β với độ tinh khiết từ 5N trở lên. Cacbua silic lập phương pha β có cấu trúc tinh thể lập phương 3C, và hình thái tinh thể độc đáo của nó mang lại độ cứng gần bằng kim cương, với độ cứng Mohs từ 9,5-9,75. Bột cacbua silic pha β có độ tinh khiết cao được sản xuất bằng phương pháp đóng rắn nhiệt độ cao và phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Sản phẩm có độ tinh khiết cao, hàm lượng pha β cao, kích thước hạt có thể kiểm soát, hoạt tính thiêu kết tuyệt vời và khả năng phân tán tốt. Đồng thời, cacbua silic lập phương sở hữu các đặc tính lý hóa tuyệt vời, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tốc độ trôi điện tử cao, độ linh động điện tử cao, khả năng chống ăn mòn và khả năng chống sốc nhiệt tốt. Nó được sử dụng rộng rãi trong ngành hàng không vũ trụ, gốm sứ cao cấp, pin năng lượng mới, xử lý bề mặt và công nghiệp bán dẫn.
Đặc tính hiệu năng của bột nano cacbua silic 4N, nhà sản xuất Trung Quốc:
- Độ tinh khiết cao, với độ tinh khiết sản phẩm đạt 5N trở lên.
- Hàm lượng pha lập phương lên đến 99%, dạng tinh thể pha β tinh khiết.
- Hình thái: Các hạt hình cầu với nhiều kích thước hạt khác nhau có thể lựa chọn.
- Hàm lượng oxy thấp, dưới 0,3%.
- Khả năng thiêu kết tốt và phân tán dễ dàng.
- Có khả năng chịu nhiệt độ cao, chống mài mòn, chống ăn mòn và chống sốc nhiệt tuyệt vời.
Chỉ số vật lý của bột nano cacbua silic 4N, nhà sản xuất Trung Quốc.
| cấu trúc tinh thể | hình lập phương |
| Pha tinh thể | b |
| Hàm lượng β | ≥99% |
| Điểm nóng chảy | 2700° |
| Nhiệt độ phân hủy | 2830°±40° |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| Độ dẫn nhiệt | 0,255 W/cm K |
| Độ cứng Mohs | 9,5-9,75 |
| Độ cứng Vickers (độ cứng vi mô) | 3300-3500 kg/mm2 |
| Tỷ trọng riêng | 3,216 g/cm3 |
Thông số kỹ thuật.
| Thông số kỹ thuật. | Kích cỡ | Độ tinh khiết của SiC (%) | Tỷ lệ phần trăm β | Hình dạng |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-5um | 5µm | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-10um | 10um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 5N-βSiC-10um | 50um | 5N | ≥99% | hình cầu nhỏ |
| 7N-βSiC-G | 1-10mm | 7N | ≥99% | Hạt |
Ứng dụng của bột nano cacbua silic 4N – Nhà sản xuất Trung Quốc
- Nghiền mịn
- Gốm cacbua silic chính xác
- Pin năng lượng mới
- Chất bán dẫn
- Lớp phủ đặc biệt
- Vật liệu chịu nhiệt cao
- Linh kiện điện tử
Câu hỏi thường gặp:
Hỏi: Bột nano β-SiC có độ tinh khiết như thế nào mà bạn có thể sản xuất?
A: Chúng tôi có thể sản xuất bột nano silicon carbide với độ tinh khiết 99%, 99,9%, 99,99%.
Hỏi: Quy trình sản xuất bột nano SiC mà quý công ty áp dụng là gì?
A: Chúng tôi sản xuất bột nano silicon carbide bằng quy trình CVD.
