Silicon carbide F100 màu đen được rửa bằng nước, dùng cho chất bán dẫn silicon carbide.
Silicon carbide đen F100 được sản xuất bằng phương pháp rửa nước là loại cát silicon carbide mịn được tạo ra thông qua quá trình nấu chảy ở nhiệt độ cao, nghiền, rửa bằng axit và kiềm, và tinh chế theo cấp độ. Sản phẩm đáp ứng các yêu cầu của van điện trở silicon carbide bán dẫn (varistor/điện trở từ hóa). Sản phẩm có một số ưu điểm: độ tinh khiết cao và ít tạp chất, tính chất điện có thể điều chỉnh, độ ổn định nhiệt cao, cấu trúc đặc chắc, khả năng chống chịu thời tiết và độ bền cao.
I. Độ tinh khiết cao và ít tạp chất, hiệu suất điện ổn định
– Độ tinh khiết cao. Sau quá trình rửa bằng nước và tinh chế, hàm lượng SiC ≥99%, cacbon tự do (FC) ≤0,2%, oxit sắt (Fe₂O₃) ≤0,4% và tạp chất kim loại cực thấp.
– Độ tinh khiết thấp và đặc tính điện được kiểm soát. Một lượng lớn tạp chất từ tính như sắt và nhôm được loại bỏ, làm giảm dòng rò và tránh ăn mòn điện hóa cục bộ. Đặc tính điện trở phi tuyến của van ổn định hơn, với điện áp dư thấp hơn và phản hồi nhanh hơn.
– Tính nhất quán của lô sản phẩm. Quá trình rửa bằng nước và phân loại đảm bảo kích thước hạt tập trung (125–150μm), các hạt sạch không bị vón cục. Điều này dẫn đến sự phân tán điện trở suất thấp và tính nhất quán cao của lô sản phẩm.
II. Đặc tính bán dẫn có thể điều khiển, phản hồi Varistor tuyệt vời
– Bán dẫn dải năng lượng rộng. Silicon carbide đen vốn có đặc tính varistor phi tuyến tính; điện trở giảm nhanh chóng khi có những thay đổi đột ngột trong điện trường, hấp thụ chính xác các xung điện và cung cấp khả năng bảo vệ quá áp đáng tin cậy.
– Khả năng thích ứng kích thước hạt 100#. Các hạt thô (125–150μm) tạo thành mạng dẫn điện ổn định, cân bằng khả năng dẫn điện của van và điện áp chịu đựng, phù hợp cho việc đúc van điện trở trung và cao áp.
– Điện trở suất có thể điều chỉnh. Độ tinh khiết và kích thước hạt có thể kiểm soát cho phép điều chỉnh điện trở suất của van (10¹~10⁵Ω·cm), phù hợp với các thiết bị bảo vệ ở các mức điện áp khác nhau.
III. Độ dẫn nhiệt cao + Độ ổn định nhiệt độ cao, khả năng tản nhiệt mạnh và khả năng chịu nhiệt tốt.
– Độ dẫn nhiệt cao. Độ dẫn nhiệt xấp xỉ 490 W/(m·K) (gấp 3 lần so với silicon, gấp 1,5 lần so với đồng), giúp tản nhiệt nhanh chóng do dòng điện đột biến, ngăn ngừa sự hư hỏng do nhiệt của tấm van và kéo dài tuổi thọ.
– Khả năng chịu nhiệt độ cao. Điểm nóng chảy 2250℃, nhiệt độ hoạt động lâu dài lên đến 1900℃, các đặc tính điện/cơ học không bị suy giảm ở nhiệt độ cao, thích hợp cho các ứng dụng nhiệt độ cao, tần số cao.
– Hệ số giãn nở nhiệt thấp. Hệ số giãn nở nhiệt thấp, ít bị nứt và biến dạng dưới tác động của chênh lệch nhiệt độ, cấu trúc tấm van ổn định và khả năng chống sốc nhiệt cao.
![]()